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Method to achieve active p-type layer/layers in iii-nitride epitaxial or device structures having buried p-type layers 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2017180633A1, 公开日期: 2017-10-19
发明人:  ENATSU, YUUKI;  GUPTA, CHIRAG;  KELLER, STACIA;  MISHRA, UMESH K.;  AGARWAL, ANCHAL
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