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Impurity-doped semiconductor laser device for single wavelength oscillation 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4928285, 申请日期: 1990-05-22, 公开日期: 1990-05-22
发明人:  KUSHIBE, MITSUHIRO;  EGUCHI, KAZUHIRO;  FUNAMIZU, MASAHISA;  OHBA, YASUO
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Semiconductor laser element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989217985A, 申请日期: 1989-08-31, 公开日期: 1989-08-31
发明人:  KUSHIBE MITSUHIRO;  FUNAMIZU MASAHISA
Adobe PDF(116Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989214191A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28
发明人:  EGUCHI KAZUHIRO;  OBA YASUO;  KUSHIBE MITSUHIRO;  FUNAMIZU MASAHISA
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989214192A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28
发明人:  KUSHIBE MITSUHIRO;  OBA YASUO;  EGUCHI KAZUHIRO;  FUNAMIZU MASAHISA
Adobe PDF(253Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989214190A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28
发明人:  EGUCHI KAZUHIRO;  OBA YASUO;  KUSHIBE MITSUHIRO;  FUNAMIZU MASAHISA
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Manufacture of optical semiconductor element and growing method for low resistance semiconductor layer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1991201585A, 公开日期: 1991-09-03
发明人:  CHICHIBU SHIGEHIDE;  KUSHIBE MITSUHIRO;  HIRAYAMA YUZO;  FUNAMIZU MASAHISA;  ONOMURA MASAAKI;  EGUCHI KAZUHIRO
Adobe PDF(498Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2019/12/26