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Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20070121690A1, 公开日期: 2007-05-31
发明人:  FUJII, TETSUO;  GAO, YAN;  HU, EVELYN L.;  NAKAMURA, SHUJI
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