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Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20120225505A1, 申请日期: 2012-09-06, 公开日期: 2012-09-06
发明人:  NEFF, JAMES G.;  EPLER, JOHN E.;  SCHIAFFINO, STEFANO
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Compliant bonding structures for semiconductor devices 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20110114987A1, 申请日期: 2011-05-19, 公开日期: 2011-05-19
发明人:  EPLER, JOHN E.;  KRAMES, MICHAEL R.;  NEFF, JAMES G.;  SCHIAFFINO, STEFANO
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Buried reverse bias junction configurations in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth and device structures utilizing the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5563094, 申请日期: 1996-10-08, 公开日期: 1996-10-08
发明人:  PAOLI, THOMAS L.;  EPLER, JOHN E.
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Method of fabricating semiconductor structures via photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5436192, 申请日期: 1995-07-25, 公开日期: 1995-07-25
发明人:  EPLER, JOHN E.;  PAOLI, THOMAS L.
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Quantum wire semiconductor laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5138625, 申请日期: 1992-08-11, 公开日期: 1992-08-11
发明人:  PAOLI, THOMAS L.;  EPLER, JOHN E.
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Buried disordering sources in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5013684, 申请日期: 1991-05-07, 公开日期: 1991-05-07
发明人:  EPLER, JOHN E.;  PAOLI, THOMAS L.
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Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4962057, 申请日期: 1990-10-09, 公开日期: 1990-10-09
发明人:  EPLER, JOHN E.;  TREAT, DAVID W.;  PAOLI, THOMAS L.
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Disordering of semiconductors 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0269359A3, 申请日期: 1989-03-29, 公开日期: 1989-03-29
发明人:  EPLER, JOHN E.;  BURNHAM, ROBERT D.
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Epitaxial deposition of thin films 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0336672A2, 公开日期: 1989-10-11
发明人:  EPLER, JOHN E.;  CHUNG, HARLAN F.;  PAOLI, THOMAS L.
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