|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105164874B, 申请日期: 2017-12-22, 公开日期: 2017-12-22
发明人: C·G·卡诺; F·谢; C-E·扎赫
 Adobe PDF(194Kb) |  收藏 | 浏览/下载：53/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 用于光电子器件的无源波导结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106233550A, 申请日期: 2016-12-14, 公开日期: 2016-12-14
发明人: C·G·卡诺; 谢峰; C·E·扎赫
Adobe PDF(242Kb) | 收藏 | 浏览/下载：70/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 包括多个MQW区的MQW激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102246369B, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
发明人: R·巴特; J·内皮尔拉; D·兹佐夫; C-E·扎
Adobe PDF(772Kb) | 收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半导体激光器的抗断裂金属化图案 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102405569B, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
发明人: S·C·查帕拉拉; M·H·胡; L·C·小休格斯; C-E·扎
Adobe PDF(510Kb) | 收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半导体激光器的抗断裂金属化图案 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102405569B, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
发明人: S·C·查帕拉拉; M·H·胡; L·C·小休格斯; C-E·扎
Adobe PDF(510Kb) | 收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 具有交叉指型加热器电极和底部电流约束层的激光源 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101849333B, 申请日期: 2014-04-16, 公开日期: 2014-04-16
发明人: M·H·胡; C·-E·扎
Adobe PDF(463Kb) | 收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 用于形成激光二极管结构中的隔离区的剥离处理 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103563098A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05
发明人: S·刘; B·J·帕德多克; C-E·扎
Adobe PDF(623Kb) | 收藏 | 浏览/下载：39/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 具有含铟包层的半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103403985A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
发明人: R·巴特; D·S·兹佐夫; C-E·扎
Adobe PDF(1902Kb) | 收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| A1N衬底上的GaN激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101689749B, 申请日期: 2011-06-08, 公开日期: 2011-06-08
发明人: R·巴特; J·内皮尔拉; D·兹佐夫; C-E·扎
Adobe PDF(496Kb) | 收藏 | 浏览/下载：45/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 用调制的波长控制信号使激光发射波长与波长转换峰值对准 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101682168A, 申请日期: 2010-03-24, 公开日期: 2010-03-24
发明人: J·高里尔; M·H·胡; S·R·米克森; D·皮库拉; D·O·里基茨; C·-E·扎; C·－E·扎
Adobe PDF(1254Kb) | 收藏 | 浏览/下载：69/0 | 提交时间：2020/01/18 |
