Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 用于光电子器件的无源波导结构 | |
| 其他题名 | 用于光电子器件的无源波导结构 |
| C·G·卡诺; 谢峰; C·E·扎赫 | |
| 2016-12-14 | |
| 专利权人 | 统雷量子电子有限公司 |
| 公开日期 | 2016-12-14 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 公开了一种具有光学模式和增益区的半导体光发射器，所述光发射器包括由半导体材料A和B的双交替层制成的低损耗波导结构，半导体材料A和B分别具有折射率Na和Nb，低损耗波导中的光学模式的有效折射率No处于Na和Nb之间。其中No与增益区折射率的差值在5％的误差容限内，其中所述增益区是与低损耗波导相对接，其中所述低损耗波导中的光学模式的大小及形状和增益区的大小及形状的差值在10％的误差容限内。理想地，所述半导体材料A和B中至少一个具有足够较大的带隙，使得在15V的偏压下，无源波导结构能够阻挡电流。 |
| 其他摘要 | 公开了一种具有光学模式和增益区的半导体光发射器，所述光发射器包括由半导体材料A和B的双交替层制成的低损耗波导结构，半导体材料A和B分别具有折射率Na和Nb，低损耗波导中的光学模式的有效折射率No处于Na和Nb之间。其中No与增益区折射率的差值在5％的误差容限内，其中所述增益区是与低损耗波导相对接，其中所述低损耗波导中的光学模式的大小及形状和增益区的大小及形状的差值在10％的误差容限内。理想地，所述半导体材料A和B中至少一个具有足够较大的带隙，使得在15V的偏压下，无源波导结构能够阻挡电流。 |
| 申请日期 | 2015-02-23 |
| 专利号 | CN106233550A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201580020836.0 |
| 公开（公告）号 | CN106233550A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 郑勇 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90094 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 统雷量子电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C·G·卡诺,谢峰,C·E·扎赫. 用于光电子器件的无源波导结构. CN106233550A[P]. 2016-12-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106233550A.PDF（242KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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