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光走査装置·画像形成装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009163137A, 申请日期: 2009-07-23, 公开日期: 2009-07-23
发明人:  吉井 雅子;  鈴木 清三;  林 善紀;  市井 大輔
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光走査装置及び画像形成装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008275711A, 申请日期: 2008-11-13, 公开日期: 2008-11-13
发明人:  林 善紀;  鈴木 清三;  石田 雅章;  市井 大輔;  平川 真
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複合光デバイスの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3752369B2, 申请日期: 2005-12-16, 公开日期: 2006-03-08
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3665911B2, 申请日期: 2005-04-15, 公开日期: 2005-06-29
发明人:  木村 達也;  石田 多華生;  鈴木 大輔
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複合光デバイスの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000275460A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  瀧口 透;  鈴木 大輔;  竹見 政義;  多田 仁史
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335756A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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光集積デバイスの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998150241A, 申请日期: 1998-06-02, 公开日期: 1998-06-02
发明人:  板垣 卓士;  鈴木 大輔;  三橋 豊
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光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998022579A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也
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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997064459A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
发明人:  早藤 紀生;  鈴木 大輔
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