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半导体发光元件及半导体发光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109672081A, 申请日期: 2019-04-23, 公开日期: 2019-04-23
发明人:  伊藤茂稔;  大松照幸;  金子和昭
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光模块 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109417268A, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人:  川口佳伸;  尾崎信二;  森田隆敏;  柳濑祥吾;  香川利雄;  大松照幸;  金子和昭;  伊藤茂稔
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长波段光纤放大器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1378096A, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06
发明人:  朴相昱;  李圭行;  赵星七;  金承择;  李东翰
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极性/非极性材料-CaAs/Ge, GaP/Si MOCVD生长及特性研究 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所., 1993
作者:  赵星
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半导体薄膜材料  生长技术