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用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102473799A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
发明人:  罗伯特·M·法雷尔;  马修·T·哈迪;  太田裕朗;  斯蒂芬·P·登巴尔斯;  詹姆斯·S·斯佩克;  中村修二
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