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半導体立体量子構造の作製方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3169064B2, 申请日期: 2001-03-16, 公开日期: 2001-05-21
发明人:  西 研一
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半導体波長可変レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3033517B2, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-04-17
发明人:  南部 芳弘;  西 研一
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光増幅器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996031656B2, 申请日期: 1996-03-27, 公开日期: 1996-03-27
发明人:  西 研一;  藤原 雅彦
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995040620B2, 申请日期: 1995-05-01, 公开日期: 1995-05-01
发明人:  西 研一
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