光増幅器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	光増幅器
其他题名	光増幅器
	西研一; 藤原雅彦
	1996-03-27
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1996-03-27
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To contrive reduction in incident polarization dependency of characteristics of the title light amplifier by a method wherein an active layer is formed into the quantum-well structure consisting of the first and the second semiconductors which are specifically prescribed, the first semiconductor receives the stress of planar tensile property generated by the dismatching of a lattice, and the energy value between the ground sub-band of a conduction band and the ground sub-band of a light hole band is made smaller than that located between the ground sub-band of a conductive band and the ground sub-band of a heavy hole band. CONSTITUTION:A multilayer quantum well(MQW) active layer 104 is formed by alternately laminating in 6 periods a GaAs quantum well layer 110 and an In0.2Ga0.32Al0.48As barrier layer 111, and the film thickness of each layer is set at the prescribed value. The quantum well layer 110 is subjected to tensile strain by the dismatching of a lattice with an In0.1Al0.36Ga0.54As clad layer 103, and as a result, a light hole band is energetically positioned upper than a heavy hole band. In this case, the ground sub-band 201 of the light hole band is also energetically positioned upper than the ground sub-band of the heavy hole band 202, and as the transition when a carrier is implanted, the transition located between each sub-band of the electron-light-hole band becomes the main transmission.
其他摘要	目的：通过一种方法减少标题光放大器特性的入射偏振依赖性，其中有源层形成由特定规定的第一和第二半导体组成的量子阱结构，第一半导体接收应力通过晶格的不匹配产生的平面拉伸特性，并且使导带的接地子带与光孔带的接地子带之间的能量值小于位于接地子带之间的能量值。导电带和重孔带的接地子带。组成：多层量子阱（MQW）有源层104通过交替层叠6个周期的GaAs量子阱层110和In0.2Ga0.32Al0.48As阻挡层111形成，并且每层的膜厚度设置为规定值。量子阱层110通过晶格与In0.1Al0.36Ga0.54As包覆层103的不匹配而受到拉伸应变，结果，光孔带能量位于重孔带的上方。在这种情况下，光孔带的地面子带201也在能量上位于比重孔带202的地面子带更高的位置，并且当载流子被植入时，过渡位于每个子带之间。电子 - 光 - 空穴带的带成为主要的传输。
申请日期	1988-03-30
专利号	JP1996031656B2
专利状态	失效
申请号	JP1988079474
公开（公告）号	JP1996031656B2
IPC 分类号	H01S \| G02F1/35 \| G02F \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89050
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	西研一,藤原雅彦. 光増幅器. JP1996031656B2[P]. 1996-03-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996031656B2.PDF（23KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文