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氮化物半导体结构及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101958375B, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
发明人:  郭义德;  林素芳;  郭威宏;  刘柏均;  纪东炜;  赵主立;  蔡政达
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三族氮化物垂直柱阵列衬底 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101093867B, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08
发明人:  赖志铭;  刘文岳;  蔡政达;  许荣宗;  果尚志;  沈昌宏;  林弘伟
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氮化物半导体基板及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101150053A, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2008-03-26
发明人:  赖志铭;  蔡政达;  刘文岳;  郭义德
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