Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体结构及其制造方法 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体结构及其制造方法 |
| 郭义德; 林素芳; 郭威宏; 刘柏均; 纪东炜; 赵主立; 蔡政达 | |
| 2013-01-02 | |
| 专利权人 | 财团法人工业技术研究院 |
| 公开日期 | 2013-01-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种氮化物半导体基板及其制造方法，其中的氮化物半导体基板包括外延基板、氮化物柱层、氮化物半导体层及掩模层，其中氮化物柱层是由数个图案化排列的第一柱和数个图案化排列的第二柱所构成。氮化物柱层形成于外延基板上，第二柱的横截面宽度小于第一柱的横截面宽度，第二柱与第二柱之间的距离大于第一柱与第一柱之间的距离。掩模层则覆盖在第一柱、第二柱和外延基板的表面。氮化物半导体层则形成于氮化物柱层上。 |
| 其他摘要 | 一种氮化物半导体基板及其制造方法，其中的氮化物半导体基板包括外延基板、氮化物柱层、氮化物半导体层及掩模层，其中氮化物柱层是由数个图案化排列的第一柱和数个图案化排列的第二柱所构成。氮化物柱层形成于外延基板上，第二柱的横截面宽度小于第一柱的横截面宽度，第二柱与第二柱之间的距离大于第一柱与第一柱之间的距离。掩模层则覆盖在第一柱、第二柱和外延基板的表面。氮化物半导体层则形成于氮化物柱层上。 |
| 申请日期 | 2009-07-17 |
| 专利号 | CN101958375B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200910160715.2 |
| 公开（公告）号 | CN101958375B |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/30 | H01L21/20 |
| 专利代理人 | 邱军 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48016 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 财团法人工业技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭义德,林素芳,郭威宏,等. 氮化物半导体结构及其制造方法. CN101958375B[P]. 2013-01-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101958375B.PDF（2045KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [郭义德]的文章 |
| [林素芳]的文章 |
| [郭威宏]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [郭义德]的文章 |
| [林素芳]的文章 |
| [郭威宏]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [郭义德]的文章 |
| [林素芳]的文章 |
| [郭威宏]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论