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氮化物半导体装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101124704A, 申请日期: 2008-02-13, 公开日期: 2008-02-13
发明人:  长谷川義晃;  菅原岳;  安杖尚美;  石桥明彦;  横川俊哉
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氮化物半导体元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14
发明人:  菅原岳;  川口靖利;  石桥明彦;  木户口勋;  横川俊哉
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氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1618154A, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18
发明人:  菅原岳;  长谷川义晃;  石桥明彦;  横川俊哉
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半导体发光元件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1579040A, 申请日期: 2005-02-09, 公开日期: 2005-02-09
发明人:  长谷川义晃;  嵨本敏孝;  菅原岳
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002305348A, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-10-18
发明人:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博;  伴 雄三郎;  平山 福一
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半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001223428A, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-08-17
发明人:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博;  伴 雄三郎;  平山 福一
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半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000332357A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30
发明人:  木戸口 勲;  宮永 良子;  菅原 岳;  鈴木 政勝;  粂 雅博;  伴 雄三郎
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