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レーザCRTとこれに用いる発光素子体の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3321986B2, 申请日期: 2002-06-28, 公开日期: 2002-09-09
发明人:  森 芳文;  船戸 健次;  戸田 淳
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窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000082671A, 申请日期: 2000-03-21, 公开日期: 2000-03-21
发明人:  船戸 健次;  簗嶋 克典;  橋本 茂樹
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999204889A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
发明人:  塚本 弘範;  谷口 理;  牧野 桜子;  日野 智公;  船戸 健次
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997252163A, 申请日期: 1997-09-22, 公开日期: 1997-09-22
发明人:  船戸 健次;  朝妻 庸紀;  河合 弘治
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発光素子およびそれを用いたレーザCRT 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995335990A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
发明人:  浅野 竹春;  船戸 健次;  戸田 淳
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