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铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
发明人:  芦鹏飞;  王凯林;  陆瑾;  张凡;  张丽;  王庶民
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