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半導体発光素子およびその製造方法ならびに光電子集積回路およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000022275A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
发明人:  山口 恭司;  土居 正人;  玉田 仁志
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999163461A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
发明人:  玉田 仁志;  山口 恭司
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半導体発光素子および光電子集積回路 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998290044A, 申请日期: 1998-10-27, 公开日期: 1998-10-27
发明人:  成井 啓修;  玉田 仁志
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発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998190123A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
发明人:  堂向 徹;  玉田 仁志
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光源一体型波長変換素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994035018A, 申请日期: 1994-02-10, 公开日期: 1994-02-10
发明人:  木島 公一朗;  玉田 仁志;  堂向 徹
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光源一体型波長変換素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994035019A, 申请日期: 1994-02-10, 公开日期: 1994-02-10
发明人:  玉田 仁志;  堂向 徹;  木島 公一朗
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