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半導体エピタキシャル成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996115877A, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07
发明人:  冨谷 茂隆;  中野 一志;  伊藤 哲;  湊屋 理佳子
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II-VI族化合物半導体の成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995273054A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
发明人:  石橋 晃;  伊藤 哲;  松元 理;  白石 誠司;  湊屋 理佳子;  樋江井 太
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