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氮化物半导体衬底及器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100492687C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸
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発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3657795B2, 申请日期: 2005-03-18, 公开日期: 2005-06-08
发明人:  中村 修二;  長濱 慎一;  岩佐 成人;  清久 裕之
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氮化物半导体的生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1159750C, 申请日期: 2004-07-28, 公开日期: 2004-07-28
发明人:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸
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窒化物半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3538275B2, 申请日期: 2004-03-26, 公开日期: 2004-06-14
发明人:  中村 修二;  長濱 慎一;  岩佐 成人;  清久 裕之
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氮化物半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1426119A, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2003-06-25
发明人:  中村修二;  长滨慎一;  岩佐成人;  清久裕之
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半導体レーザ素子及びその形成方法。 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002111128A, 申请日期: 2002-04-12, 公开日期: 2002-04-12
发明人:  妹尾 雅之;  清久 裕之;  松下 俊雄
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窒化物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999191637A, 申请日期: 1999-07-13, 公开日期: 1999-07-13
发明人:  中村 修二;  清久 裕之;  小崎 徳也;  岩佐 成人
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