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半导体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106486888A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08
发明人:  深谷一夫
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半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101820135A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01
发明人:  多田健太郎;  远藤健司;  深谷一夫;  奥田哲朗;  小林正英
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窓型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000323789A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24
发明人:  深谷 一夫
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半導体レーザとその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2712970B2, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1998-02-16
发明人:  深谷 一夫
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
发明人:  深谷 一夫
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997199784A, 申请日期: 1997-07-31, 公开日期: 1997-07-31
发明人:  深谷 一夫
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分布帰還型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2630273B2, 申请日期: 1997-04-18, 公开日期: 1997-07-16
发明人:  深谷 一夫
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歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995045909A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14
发明人:  深谷 一夫;  石川 信
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半導体レーザアレイとその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994053595A, 申请日期: 1994-02-25, 公开日期: 1994-02-25
发明人:  深谷 一夫
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