歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法

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	歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法
其他题名	歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法
	深谷一夫; 石川信
	1995-02-14
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1995-02-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】高歩留まりで安定動作する信頼性の高いnGaAs歪量子井戸半導体レーザを製造する。【構成】常圧MOVPE装置を用いてSiドープGaAs基板7上にSiドープAl0 . 4 Ga0 . 6 Asクラッド層8を成長温度760℃で気相エピタキシャル成長させる。次にAl0 . 2 Ga0 . 8 As光ガイド層9の成長中に成長温度を降下させ、成長温度610℃·アルシン分圧0.3Torrのもとで2重歪量子井戸活性層構造10(GaAsバリア層/In0 . 2 4 Ga0 . 7 6 As歪量子井戸/GaAsバリア層/In0 . 2 4 Ga0 . 7 6As歪量井戸/GaAsバリア層)を成長する。次に、成長温度を610℃に保ったままAl0 . 2 Ga0 . 8 As光ガイド層11、MgドープAl0 . 4 Ga0 . 6 Asクラッド層12、MgドープGaAsキャップ層13を順次成長する。
其他摘要	目的：通过一种方法，能够以高产率执行稳定的操作，其中通过在GaAs衬底上的晶体生长形成的InGaAs变形量子阱有源层的生长温度在特定的温度范围和生长温度下进行使有源层形成后的晶体生长层的厚度等于有源层的生长温度。组成：GaAs缓冲层2通过气相外延生长在Si掺杂的GaAs衬底1上形成，然后是Al0.4Ga0.6As层3，GaAs阻挡层4，In0.24Ga0.76As变形量子阱层如图5所示，使GaAs阻挡层6依次生长。在通过晶体生长形成InGaAs变形量子阱有源层5的情况下，该层5的生长温度在580至640℃的范围内，以获得In的吸入率的稳定性。发射特性的固相和面内均匀性。此外，使有源层之后的晶体生长形成的层的生长温度等于有源层的生长温度，以获得具有很少缺陷的变形量子阱层5。
申请日期	1993-07-29
专利号	JP1995045909A
专利状态	失效
申请号	JP1993187852
公开（公告）号	JP1995045909A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| C30B25/02 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88534
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	深谷一夫,石川信. 歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法. JP1995045909A[P]. 1995-02-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995045909A.PDF（63KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文