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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲;  中野 一志;  池田 昌夫;  日野 智公;  浮田 昌一
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光学装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000228559A, 申请日期: 2000-08-15, 公开日期: 2000-08-15
发明人:  浮田 昌一
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996097519A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12
发明人:  奥山 浩之;  石橋 晃;  加藤 豪作;  吉田 浩;  中野 一志;  浮田 昌一;  喜嶋 悟;  岡本 桜子
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II-VI族化合物半導体発光素子の製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995335987A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
发明人:  吉田 浩;  浮田 昌一;  中野 一志;  石橋 晃
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995111368A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
发明人:  白石 誠司;  浮田 昌一
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994237047A, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23
发明人:  浮田 昌一;  石橋 晃
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