Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 浮田 昌一; 石橋 晃 | |
| 1994-08-23 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1994-08-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | (修正有) 【目的】 室温等の比較的高温での緑色ないしは青色発光を効率良く行う半導体発光素子を構成する。 【構成】 格子定数が5.62Å〜5.68Åの単結晶基体1上に、少なくとも第1導電型のZnX Mg1-X SY Se1-Y からなる第1のクラッド層2と、II-VI族化合物半導体からなる活性層3と、第2導電型のZnX Mg1-X SY Se1-Y からなる第2のクラッド層4とを有してなり、活性層の屈折率がn0 ,厚さがdで、発光波長をλ,閉じ込め係数をΓとするとき、上記クラッド層2及び4のZnX Mg1-X SY Se1-Y のX及びYの値を、式1,2に選定する。 |
| 其他摘要 | 用途：通过指定最佳提供光限制所需反射率的Mg与能够提供足够受主掺杂的Mg之比，在室温等较高温度下有效地发出绿色或蓝色光，ZnMgSSe化合物半导体。组成：第一包层2，至少由第一导电类型的ZnXMg1-XSYSe1-Y，由II-VI化合物半导体制成的有源层3，和由ZnXMg1-XSYSe1-Y制成的第二包层4制成。在单晶衬底上提供第二导电类型，晶格常数为5.6埃至5.68埃。使有源层的反射率为n0，厚度为d，发光波长为λ，限制系数为GAMMA，包层2和4的ZnXMg1-XSYSe1-Y中的X和Y值通过表达式I和II确定其为组成，从而允许在p型覆层中具有降低的电阻的足够的受主掺杂。 |
| 申请日期 | 1993-02-10 |
| 专利号 | JP1994237047A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993022769 |
| 公开（公告）号 | JP1994237047A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84910 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浮田 昌一,石橋 晃. 半導体発光素子. JP1994237047A[P]. 1994-08-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994237047A.PDF（40KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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