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多波長半導体レーザ素子及びその駆動方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3149961B2, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-03-26
发明人:  池田 外充
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2703997B2, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1998-01-26
发明人:  池田 外充
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多波長半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2624310B2, 申请日期: 1997-04-11, 公开日期: 1997-06-25
发明人:  池田 外充
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2608325B2, 申请日期: 1997-02-13, 公开日期: 1997-05-07
发明人:  池田 外充
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半導体レ—ザ— 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2543551B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-16
发明人:  関口 芳信;  池田 外充
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半導体レ—ザ— 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2531719B2, 申请日期: 1996-06-27, 公开日期: 1996-09-04
发明人:  池田 外充
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半導体レーザ装置及びそれを用いた光学的情報記録再生装置、光通信装置、及び光磁気記録再生装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994069577A, 申请日期: 1994-03-11, 公开日期: 1994-03-11
发明人:  星 宏明;  山本 昌邦;  山口 英司;  池田 外充
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半導体レーザ偏向素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993297313A, 申请日期: 1993-11-12, 公开日期: 1993-11-12
发明人:  池田 外充;  山本 敬介
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半導体レーザ素子及びその駆動方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993136528A, 申请日期: 1993-06-01, 公开日期: 1993-06-01
发明人:  池田 外充
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