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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996097518A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12
发明人:  中野 一志;  松元 理;  伊藤 哲;  石橋 晃
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996051251A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20
发明人:  松元 理;  冨谷 茂隆;  中野 一志;  長井 政春;  伊藤 哲;  石橋 晃;  森田 悦男
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II-VI族化合物半導体の成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995273054A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
发明人:  石橋 晃;  伊藤 哲;  松元 理;  白石 誠司;  湊屋 理佳子;  樋江井 太
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II-VI族半導体素子の製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995099211A, 公开日期: 1995-04-11
发明人:  樋江井 太;  池田 昌夫;  松元 理
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