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光半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3238734B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17
发明人:  菅 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  宮島 博文
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レーザダイオードの選別方法及びレーザダイオードの活性領域の応力の測定方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995311238A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
发明人:  宮島 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  鈴木 修司;  菅 博文
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994152058A, 申请日期: 1994-05-31, 公开日期: 1994-05-31
发明人:  菅 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  宮島 博文;  牧野 貴光
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994152057A, 申请日期: 1994-05-31, 公开日期: 1994-05-31
发明人:  菅 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  宮島 博文;  牧野 貴光
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993167197A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02
发明人:  菅 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  宮島 博文
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