Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体装置 | |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 菅 博文; 内藤 寿夫; 伊藤 之弘; 松井 謙; 宮島 博文; 牧野 貴光 | |
| 1994-05-31 | |
| 专利权人 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 本発明は、レーザ光の光強度が大きく、製造が容易な光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 突起部上面の活性層(13a)に電流が注入され光が発生すると、この光は突起部上面の活性層(13a)を突き抜けて、第2のクラッド層(14)を透過して端面で反射する。端面で反射した光は、突起部上面の活性層(13a)と第2のクラッド層(14)で往復動作して、両側の第2のクラッド層(14)の端面をファブリペロー型の共振ミラーとするレーザ共振が起こる。注入電流をある程度大きくすると、ついにはレーザ発振に至り、レーザ光が外部に出射される。 |
| 其他摘要 | 本发明的目的是提供一种光学半导体器件，其具有大的激光光强度并且易于制造。 在突起的上表面上的有源层（13a）中注入电流以产生光，并且该光穿过突起的上表面上的有源层（13a）并透过第二包层（14）。在端面反映。由端面反射的光在突起和第二包层（14）的上表面上的有源层（13a）中往复运动，并且两侧的第二包层（14）的端面是法布里 - 珀罗型共振镜发生激光共振。当注入电流增加到一定程度时，最终达到激光振荡，并且激光束被发射到外部。 |
| 申请日期 | 1992-11-11 |
| 专利号 | JP1994152057A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992300998 |
| 公开（公告）号 | JP1994152057A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/16 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 長谷川 芳樹 (外3名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74137 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅 博文,内藤 寿夫,伊藤 之弘,等. 光半導体装置. JP1994152057A[P]. 1994-05-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994152057A.PDF（49KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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