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光半導体結合装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3761051B2, 申请日期: 2006-01-20, 公开日期: 2006-03-29
发明人:  西川 透;  宇野 智昭;  東門 元二;  光田 昌弘
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半導体レーザ素子および光結合装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997289354A, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04
发明人:  西川 透;  宇野 智昭;  東門 元二;  鬼頭 雅弘
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