光半導体結合装置の製造方法

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	光半導体結合装置の製造方法
其他题名	光半導体結合装置の製造方法
	西川透; 宇野智昭; 東門元二; 光田昌弘
	2006-01-20
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2006-03-29
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】光半導体結合装置における半導体レーザ素子や光ファイバなどのより高精度な実装を可能にする、光半導体結合装置の製造方法を提供する。【解決手段】光信号を光ファイバで伝送する光伝送システムにて使用される、信号光源である半導体レーザ素子の光を伝送路である単一モード光ファイバに光結合させる光半導体結合装置において、該単一モード光ファイバのモードフィールド径が、該半導体レーザ素子のスポット径の±30%以内に設定されている。或いは、光半導体結合装置が、基板の表面に同一のエッチング工程によって形成された、単一モード光ファイバが実装される溝と半導体レーザ素子の位置決めのために使用される複数のピットと、を備える。
其他摘要	要解决的问题：通过将单模光纤的模场直径设定在半导体激光元件的光斑直径的特定范围内，以高精度安装半导体激光元件，光纤等。解决方案：单模光纤103夹在Si-V槽基板101的光纤定位V槽105和安装在其上的Si光纤帽106的梯形槽107之间，并固定成与V槽105接触。然后通过将单模光纤103压在切割槽108上来确定半导体激光元件102和单模光纤103之间的距离。在这种情况下，设置单模光纤103的模场直径。几乎到半导体激光器元件的光点直径，使得单模光纤103和半导体激光器元件103以高耦合效率耦合。
授权日期	2006-01-20
申请日期	1998-02-17
专利号	JP3761051B2
专利状态	失效
申请号	JP1998035098
公开（公告）号	JP3761051B2
IPC 分类号	G02B6/42 \| H01S5/02 \| H01S5/00
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35233
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	西川透,宇野智昭,東門元二,等. 光半導体結合装置の製造方法. JP3761051B2[P]. 2006-01-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3761051B2.PDF（187KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文