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垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1315234C, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2007-05-09
发明人:  赵英杰;  钟景昌;  晏长岭;  李林;  郝永芹;  李轶华;  苏伟;  姜晓光
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垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1315234C, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2007-05-09
发明人:  赵英杰;  钟景昌;  晏长岭;  李林;  郝永芹;  李轶华;  苏伟;  姜晓光
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