垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法

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	垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
其他题名	垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
	赵英杰; 钟景昌; 晏长岭; 李林; 郝永芹; 李轶华; 苏伟; 姜晓光
	2007-05-09
专利权人	长春理工大学
公开日期	2007-05-09
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布孔法，即在原刻蚀环形沟槽的位置刻蚀若干个环形分布、彼此孤立的孔，通过这些孔同样可以完成氧化物限制层工艺，之后不需将其填充，各个相邻孔之间的桥状通道使得激光器圆台台面各部分仍保持连接状态，仍与连接面、焊盘台面组成一个供蒸镀激光器上电极用的连续平面。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。
其他摘要	垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布孔法，即在原刻蚀环形沟槽的位置刻蚀若干个环形分布、彼此孤立的孔，通过这些孔同样可以完成氧化物限制层工艺，之后不需将其填充，各个相邻孔之间的桥状通道使得激光器圆台台面各部分仍保持连接状态，仍与连接面、焊盘台面组成一个供蒸镀激光器上电极用的连续平面。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。
申请日期	2004-02-17
专利号	CN1315234C
专利状态	失效
申请号	CN200410004357.3
公开（公告）号	CN1315234C
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/183
专利代理人	曲博
代理机构	中国兵器工业集团公司专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50000
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	赵英杰,钟景昌,晏长岭,等. 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法. CN1315234C[P]. 2007-05-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1315234C.PDF（244KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文