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生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104835718B, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
发明人:  李国强;  温雷;  高芳亮;  张曙光;  李景灵;  管云芳
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