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複合光デバイスの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3752369B2, 申请日期: 2005-12-16, 公开日期: 2006-03-08
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3718952B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24
发明人:  門脇 朋子;  木村 達也;  多田 仁史;  藤原 正敏
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半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3665911B2, 申请日期: 2005-04-15, 公开日期: 2005-06-29
发明人:  木村 達也;  石田 多華生;  鈴木 大輔
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999220209A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10
发明人:  瀧口 透;  木村 達也
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335756A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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半導体レーザ,およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998209556A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
发明人:  木村 達也;  小野 健一;  竹見 政義;  宮下 宗治
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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998190145A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
发明人:  竹見 政義;  木村 達也
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光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998022579A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也
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半導体レーザ装置,及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998012958A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16
发明人:  唐木田 昇市;  早藤 紀生;  木村 達也;  宮下 宗治;  杵築 弘隆;  西村 隆司
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リッジ型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997307182A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
发明人:  木村 達也
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