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光学装置及び発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2016063163A, 申请日期: 2016-04-25, 公开日期: 2016-04-25
发明人:  斎藤 真司;  木下 順一
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発光装置及び照明装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP5571889B2, 申请日期: 2014-07-04, 公开日期: 2014-08-13
发明人:  佐藤 高洋;  斎藤 真司;  布上 真也;  服部 靖;  菅井 麻希
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発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP5039164B2, 申请日期: 2012-07-13, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  服部 靖;  斎藤 真司;  布上 真也;  遠山 政樹
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半导体发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101232068A, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30
发明人:  橘浩一;  名古肇;  斎藤真司;  布上真也;  波多腰玄一
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半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18
发明人:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一;  菅原 秀人;  石川 正行;  ジョン·レニー;  斎藤 真司
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多層構造半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3457468B2, 申请日期: 2003-08-01, 公开日期: 2003-10-20
发明人:  ジョン·レニー;  波多腰 玄一;  斎藤 真司
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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3222652B2, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-10-29
发明人:  西川 幸江;  石川 正行;  斎藤 真司
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半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3207618B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
发明人:  石川 正行;  西川 幸江;  斎藤 真司
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化合物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000101142A, 申请日期: 2000-04-07, 公开日期: 2000-04-07
发明人:  笹沼 克信;  斎藤 真司;  ジョン レニー
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半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000058919A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
发明人:  笹 沼 克 信;  ジョン レニー;  斎 藤 真 司
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