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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
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| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
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| Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
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| Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102460866A, 申请日期: 2012-05-16, 公开日期: 2012-05-16
发明人: 足立真宽; 德山慎司; 盐谷阳平; 京野孝史; 善积祐介; 秋田胜史; 上野昌纪; 片山浩二; 池上隆俊; 中村孝夫
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| 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件、製作第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: TW201134040A, 申请日期: 2011-10-01, 公开日期: 2011-10-01
发明人: 善積祐介; 鹽谷陽平; 京野孝史; 住友隆道; 嵯峨宣弘; 足立真寬; 住吉和英; 德山慎司; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌紀; 片山浩二
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| 氮化物系半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102150288A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 善积祐介; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 足立真宽; 德山慎司
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| 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: TW201117501A, 申请日期: 2011-05-16, 公开日期: 2011-05-16
发明人: 秋田勝史; 鹽谷陽平; 京野孝史; 足立真寬; 德山慎司; 善積祐介; 住友隆道; 上野昌紀
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