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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009296018A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
发明人:  御友 重吾;  成井 啓修
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004179209A, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24
发明人:  日野 智公;  成井 啓修;  御友 重吾;  岡野 展賢
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半導体発光装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001244573A, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-09-07
发明人:  御友 重吾;  岡野 展賢;  成井 啓修
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000174386A, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-06-23
发明人:  成井 啓修;  御友 重吾;  樋口 慶信
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