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スタック型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3814950B2, 申请日期: 2006-06-16, 公开日期: 2006-08-30
发明人:  後藤 吉孝;  木村 裕治;  渥美 欣也
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000299533A, 申请日期: 2000-10-24, 公开日期: 2000-10-24
发明人:  後藤 吉孝
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レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999046034A, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16
发明人:  加藤 久弥;  後藤 吉孝;  安部 克則;  渥美 欣也;  照井 武和;  松下 規由起
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レーザダイオードの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999040881A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
发明人:  後藤 吉孝;  加藤 久弥;  渥美 欣也
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