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基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108365516A, 申请日期: 2018-08-03, 公开日期: 2018-08-03
发明人:  杨涛;  张中恺;  许锋
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Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107611780A, 申请日期: 2018-01-19, 公开日期: 2018-01-19
发明人:  杨涛;  吕尊仁;  张中恺
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