Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法 |
| 杨涛; 吕尊仁; 张中恺 | |
| 2018-01-19 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2018-01-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法，其特征在于，所述量子点激光器包括量子点有源区(50)，该量子点有源区(50)包括Si掺杂的量子点层(51)；所述量子点激光器的制备方法为采用MBE外延生长方法依次在衬底(10)上生长缓冲层(20)、下包层(30)、下波导层(40)、量子点有源区(50)、上波导层(60)、上包层(70)以及欧姆接触层(80)。本发明提供的量子点激光器通过引入Si原子，有效钝化量子点附近的非辐射复合中心，增强了量子点材料的光学性能；同时，Si原子引入的电子可降低激光器件的阈值电流，提高器件性能。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法，其特征在于，所述量子点激光器包括量子点有源区(50)，该量子点有源区(50)包括Si掺杂的量子点层(51)；所述量子点激光器的制备方法为采用MBE外延生长方法依次在衬底(10)上生长缓冲层(20)、下包层(30)、下波导层(40)、量子点有源区(50)、上波导层(60)、上包层(70)以及欧姆接触层(80)。本发明提供的量子点激光器通过引入Si原子，有效钝化量子点附近的非辐射复合中心，增强了量子点材料的光学性能；同时，Si原子引入的电子可降低激光器件的阈值电流，提高器件性能。 |
| 申请日期 | 2017-09-22 |
| 专利号 | CN107611780A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710870869 |
| 公开（公告）号 | CN107611780A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92147 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨涛,吕尊仁,张中恺. Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法. CN107611780A[P]. 2018-01-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107611780A.PDF（151KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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