中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1633700A, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29
发明人:  小池正好;  手钱雄太;  平松敏夫;  永井诚二
Adobe PDF(2198Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2020/01/18
制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1413358A, 申请日期: 2003-04-23, 公开日期: 2003-04-23
发明人:  小池正好;  小岛彰;  平松敏夫;  手钱雄太
Adobe PDF(1402Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2020/01/18
制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1413357A, 申请日期: 2003-04-23, 公开日期: 2003-04-23
发明人:  小池正好;  手钱雄太;  平松敏夫
Adobe PDF(1443Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN系発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998145004A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
发明人:  小池 正好;  永井 誠二;  山崎 史郎;  平松 敏夫;  赤崎 勇;  天野 浩
Adobe PDF(50Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2019/12/31