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結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999147798A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  奥山 浩之;  喜嶋 悟;  左中 由美
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998294494A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
发明人:  戸田 淳;  石橋 晃;  白石 誠司;  野口 裕泰;  左中 由美;  長井 政春;  ジョン フランシス ドネガン;  クリストフ ジョーダン;  デイビッド トーマス フューワー;  エスネ マリー マッキャプ
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