中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4457417B2, 申请日期: 2010-02-19, 公开日期: 2010-04-28
发明人:  川野 義弘;  中村 修二
Adobe PDF(123Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2020/01/13