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窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4298023B2, 申请日期: 2009-04-24, 公开日期: 2009-07-15
发明人:  岩谷 素顕;  竹内 哲也;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇
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