中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105493241A, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13
发明人:  岩田雅年;  大鹿嘉和
Adobe PDF(2316Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18