Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 | |
其他题名 | 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 |
岩田雅年; 大鹿嘉和 | |
2016-04-13 | |
专利权人 | 同和电子科技有限公司 |
公开日期 | 2016-04-13 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供抑制裂纹产生、EL光谱形状变为双峰的问题,并且表面平坦性更优异的第III族氮化物半导体外延基板和使用了它的第III族氮化物半导体以及它们的制造方法。按照本发明的第III族氮化物半导体外延基板(100)的特征在于,其具有:至少表面部分由AlN构成的基板(112)、在基板(112)上形成的非掺杂AlN层(114)、在非掺杂AlN层(114)上形成的Si掺杂AlN缓冲层(116)、和在Si掺杂AlN缓冲层(116)上形成的超晶格层叠体(120),Si掺杂AlN缓冲层(116)具有2.0×1019/cm3以上的Si浓度,且厚度为4~10nm。 |
其他摘要 | 本发明提供抑制裂纹产生、EL光谱形状变为双峰的问题,并且表面平坦性更优异的第III族氮化物半导体外延基板和使用了它的第III族氮化物半导体以及它们的制造方法。按照本发明的第III族氮化物半导体外延基板(100)的特征在于,其具有:至少表面部分由AlN构成的基板(112)、在基板(112)上形成的非掺杂AlN层(114)、在非掺杂AlN层(114)上形成的Si掺杂AlN缓冲层(116)、和在Si掺杂AlN缓冲层(116)上形成的超晶格层叠体(120),Si掺杂AlN缓冲层(116)具有2.0×1019/cm3以上的Si浓度,且厚度为4~10nm。 |
申请日期 | 2014-08-06 |
专利号 | CN105493241A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201480044414.2 |
公开(公告)号 | CN105493241A |
IPC 分类号 | H01L21/205 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/343 |
专利代理人 | 刘新宇 | 李茂家 |
代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90590 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 同和电子科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩田雅年,大鹿嘉和. 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法. CN105493241A[P]. 2016-04-13. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN105493241A.PDF(2316KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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