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氮化物半导体衬底及器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100492687C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸
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発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3657795B2, 申请日期: 2005-03-18, 公开日期: 2005-06-08
发明人:  中村 修二;  長濱 慎一;  岩佐 成人;  清久 裕之
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氮化物半导体的生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1159750C, 申请日期: 2004-07-28, 公开日期: 2004-07-28
发明人:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸
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窒化物半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3538275B2, 申请日期: 2004-03-26, 公开日期: 2004-06-14
发明人:  中村 修二;  長濱 慎一;  岩佐 成人;  清久 裕之
Adobe PDF(1521Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化物半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1426119A, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2003-06-25
发明人:  中村修二;  长滨慎一;  岩佐成人;  清久裕之
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3336599B2, 申请日期: 2002-08-09, 公开日期: 2002-10-21
发明人:  岩佐 成人;  中村 修二
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3241250B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
发明人:  中村 修二;  岩佐 成人;  長濱 慎一
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窒化物半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3141824B2, 申请日期: 2000-12-22, 公开日期: 2001-03-07
发明人:  中村 修二;  岩佐 成人;  長濱 慎一
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窒化物半導体発光ダイオードを備えた表示装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2976951B2, 申请日期: 1999-09-10, 公开日期: 1999-11-10
发明人:  中村 修二;  岩佐 成人;  長濱 慎一
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窒化物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999191637A, 申请日期: 1999-07-13, 公开日期: 1999-07-13
发明人:  中村 修二;  清久 裕之;  小崎 徳也;  岩佐 成人
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