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III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2509006B2, 申请日期: 1996-04-16, 公开日期: 1996-06-19
发明人:  武部 敏彦;  藤井 元忠;  山本 悌二;  繁田 光浩;  小林 規矩男;  藤本 勲
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面発光素子とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995079183B2, 申请日期: 1995-08-23, 公开日期: 1995-08-23
发明人:  藤井 元忠;  山本 悌二;  繁田 光浩;  武部 敏彦;  小林 規矩男;  藤本 勲
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半導体面発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994097564A, 申请日期: 1994-04-08, 公开日期: 1994-04-08
发明人:  斉藤 信雄;  山賀 睦夫;  藤本 勲;  小林 規矩男;  山本 悌二;  稲井 誠
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III-V族化合物半導体膜の形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994069129A, 申请日期: 1994-03-11, 公开日期: 1994-03-11
发明人:  武部 敏彦;  藤井 元忠;  山本 悌二;  藤田 和久;  小林 規矩男
Adobe PDF(54Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/12/31