Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体面発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体面発光素子 |
| 斉藤 信雄; 山賀 睦夫; 藤本 勲; 小林 規矩男; 山本 悌二; 稲井 誠 | |
| 1994-04-08 | |
| 专利权人 | 日本放送協会 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 構造が簡単で、製造工程が単純であり、かつ素子作製に関する制約の少ない半導体面発光素子を提供する。 【構成】 段差を有するIII-V族化合物半導体基板上に、分子線エピタキシー(MBE)法により、両性不純物のIV族元素(C、Si、Geなど)をドープしたIII-V族化合物半導体を形成し、III-V族半導体基板の平坦面領域がn型で、段差の斜面領域がp型(または絶縁性)であるような電流閉じ込め構造で活性層を取り囲む。 |
| 其他摘要 | 目的：通过在III-V半导体衬底的表面上形成掺杂有两性杂质的IV族元素的III-V族化合物半导体层，获得其中载流子限制区域二维地布置在有源区周围的简单结构。通过MBE方法形成阶梯差异部分并具有特定的取向。组成：在表面为（111）B面的GaAs子21上，通过光刻法形成等边三角形图案。通过湿法蚀刻在GaAs衬底21的表面上形成从上方观察形成等边三角形的台阶差分部分21a。台阶部分21a被倾斜表面围绕，该倾斜表面与基板21的表面的倾斜角度约为70度。之后，通过倾斜角度生长Si掺杂的N-AlAs / GaAs多层膜（反射镜）22。 MBE方法。形成Si掺杂的N-AlGaAs包层23，Si掺杂的GaAs有源层24，Be掺杂的P-AlGaAs包层25和P-GaAs盖层26。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1992-03-26 |
| 专利号 | JP1994097564A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992067935 |
| 公开（公告）号 | JP1994097564A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S5/183 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67122 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本放送協会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 信雄,山賀 睦夫,藤本 勲,等. 半導体面発光素子. JP1994097564A[P]. 1994-04-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994097564A.PDF（178KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [斉藤 信雄]的文章 |
| [山賀 睦夫]的文章 |
| [藤本 勲]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [斉藤 信雄]的文章 |
| [山賀 睦夫]的文章 |
| [藤本 勲]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [斉藤 信雄]的文章 |
| [山賀 睦夫]的文章 |
| [藤本 勲]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论