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| 化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1484324B, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19 发明人: 山中贞则; 土田良彦; 小野善伸; 家近泰 Adobe PDF(868Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:65/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100547734C, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 2009-10-07 发明人: 平松和政; 三宅秀人; 土田良彦; 小野善伸; 西川直宏 Adobe PDF(2060Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 氮化镓单晶基板及其制造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1759469A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12 发明人: 平松和政; 三宅秀人; 坊山晋也; 前田尚良; 小野善伸 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 3-5族化合物半導体用電極の製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997008356A, 申请日期: 1997-01-10, 公开日期: 1997-01-10 发明人: 家近 泰; 小野 善伸; 高田 朋幸 Adobe PDF(163Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 3-5族化合物半導体の製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997008350A, 申请日期: 1997-01-10, 公开日期: 1997-01-10 发明人: 家近 泰; 小野 善伸; 高田 朋幸 Adobe PDF(24Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 3-5族化合物半導体の製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997008355A, 申请日期: 1997-01-10, 公开日期: 1997-01-10 发明人: 家近 泰; 小野 善伸; 高田 朋幸 Adobe PDF(39Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:123/0  |  提交时间:2019/12/31 |