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III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000286449A, 申请日期: 2000-10-13, 公开日期: 2000-10-13
发明人:  加藤 久喜;  小出 典克
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窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999135832A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
发明人:  小出 典克;  小池 正好;  加藤 久喜
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3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998163577A, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-06-19
发明人:  小出 典克;  小池 正好;  山崎 史郎;  永井 誠二;  赤崎 勇;  天野 浩
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998135514A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
发明人:  小出 典克;  浅見 慎也;  梅崎 潤一;  小池 正好;  山崎 史郎;  永井 誠二
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